イオンケミカル
エッチング装置
ウェーハ上の薄膜やレジストをエッチング／アッシングする装置です。
特長
- 高密度・低エネルギープラズマによる高速・低チャージングダメージエッチング
低圧力対応プラズマ源 - 160枚／hrの高生産性 ダブルプロセスチャンバー
- 多機能（シリーズ／パラレルエッチング）
- 300mmウェーハ対応（オプション）
装置仕様
| 適用 | Low-k レジスト 有機ポリマー Low-k レジスト ハイドーズ インプラ レジスト ビア ホール レジスト |
|---|---|
| ウェーハサイズ | 300mm(200mm) |
| 処理方法 | ＩＣＰ ＋ RFバイアス |
| プロセスチャンバー | 2チャンバー |
| 電源 | ソース： RF 13.56MHz 5kW バイアス:RF 13.56MHz 1kW |
| 搬送系 | 自社製 真空搬送ロボット |
| 基板調節制御 | 5～70℃ |
| 圧力制御 | 自動圧力制御（APC） ×2 |
| 真空ポンプ | ターボ分子ポンプ ×2 ドライポンプ ×3 |
プロセス仕様
| プロセスガス | O2 ,N2 ,CF4 ,H2 ,NH3 |
|---|---|
| エッチングレート | レジスト 2.5μm/min(25℃) |
| 均一性 | ≦±5% |
| メタルコンタミ | ≦5×1010 Atoms/cm2 |
| パーティクル | 20個以下（≧0.2μm） |
| スループット | ≦160枚/h |
| タクトタイム | ≦20秒/枚 |
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