半导体用溅镀设备
（SWN-5000）
功率设备等里面电极形成和UBM，多层膜形成最适合的装置。
特长
- 晶片尺寸∶200(mm)
- 薄晶片对应∶t100(μm)左右
- 工艺腔体数∶最大5腔室(10GUN)
- 晶片温度控制(ESC)
- 省空间∶W2800×D3600×H2500(mm)
- 加热，逆溅射对应
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半导体用溅镀设备
Sputtering Equipment for Semiconductors