化学干式蚀刻设备
半导体wafer表面形成的各种Film的Etching均可以实现。Etching部和Plasma发生部完全分离的模式，有效的去除基础加工后的damage层。
特长
- 利用微波的等向性Chemical Etching
- Plasma Damage Free Etching
- ESC Chuck系统，wafer 温度可控
- 3~8Inch wafer都可对应
- 采用double finger的Robot搬送
设备式样
| ETCing 方式 | 利用微波的等向性Chemical Etching |
|---|---|
| 可Etching的Film | Poly-Si, Si3N4BPSG, W, Mo, Ta etc |
| Wafer Size | φ8"(可选择φ6", φ5", φ3") |
| Etching Chamber | 单片式 |
| 排气PUMP | Dry PUMP |
| 压力控制 | APC控制 |
| EtchingGAS | CF4 ,O2 ,N2 etc |
| Plasma电源 | 微波 2. 45GHz 1. 0kw |
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