单片式磷酸蚀刻设备

在半导体wafer的制造工艺中,对SiN膜的高精度的Etching。同时在此工艺后的生成物和Particle的cleaning机台。
特长
- 高选择比Etching
通过对H3PO4中的Silca浓度的检测和控制,达到高选择比Etching的可能。 - Wafer表面均一性的控制
通过对每个Zone的温度控制,达到wafer表面的Etching Profile的控制的可能 - 高洁净度的清洗性能
采用芝浦独立开发的物理清洗tool,达到高洁净度的处理 - 低COO
H3PO4采用可回收方式,可消减药液的Cost
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