ケミカルドライ
エッチング装置
半導体ウェーハ上につけた各種薄膜を気相中（ドライ）で化学的（ケミカル）に削る（エッチング）装置です。処理（エッチング）部とプラズマ発生部が完全に分離したダメージフリーエッチングのため、基盤加工後のダメージ層除去処理等に使用されます。
特長
- マイクロ波を利用した等方性ケミカルドライエッチング
- プラズマダメージフリーエッチング
- ウェーハチャックシステムとステージ温調によるウェーハ温度コントロール
- 3～8インチウェーハ対応
- ダブルフィンガー型ロボット搬送採用
装置仕様
| エッチング方式 | マイクロ波を利用したケミカルドライエッチング |
|---|---|
| エッチング材料 | Poly-Si, Si3N4BPSG, W, Mo, Ta etc |
| ウェーハサイズ | φ8"(オプションφ6", φ5", φ3") |
| エッチングチャンバー | 枚葉式 |
| 排気ポンプ | ドライポンプ |
| 圧力制御 | コンダクタンスバルブ制御 |
| エッチングガス | CF4 ,O2 ,N2 etc |
| プラズマ電源 | マイクロ波 2. 45GHz 1. 0kw |
製品に関するお問い合わせ